2018-12-28から1日間の記事一覧

半導体工程 ダイオード編

半導体の本の後半の章には、半導体工程が載っていることが多い。でも詳しすぎるので読むのが面倒。とりあえず、どんな流れでつくるのか手っ取り早く思い出せるように、各工程の概要を完結にまとめた。とりあえず、一番簡単なプレーナダイオードの工程につい…

電子の移動度 / 比抵抗

0.概要・電子の移動度 とは、電子が物質の中でどれだけ移動しやすいか を表す指標。移動度が高いほど、電子が移動しやすい。 式は以下の通り。 v=-μ・E ※v:電子の速度 μ:電子の移動度 E:電界・比抵抗とは、物質の電気抵抗を示す値(語弊あり)。 高いほど電…

重金属拡散2 シリコン酸素濃度との関係

半導体デバイスで汎用的に使われるCZシリコンは製法上、酸素原子が入り込む。この酸素原子の濃度が、製造ロットによってまちまちである。このシリコンの酸素濃度によって、重金属拡散の効果が変わってくる。

重金属拡散

□重金属拡散■重金属拡散とは・シリコンウェハに重金属を塗り、拡散炉で800~900度程度に加熱することで、 シリコン中に重金属を拡散させる工程。パワー系半導体工程の一つ。 ・重金属を塗る方法 ・蒸着、スパッタ ・重金属イオン含有リキッドのスピンコート …